SIWave DC直流压降仿真方法

2016-11-15 13:14| 发布者: ttksd| 查看: 2439| 评论: 0|原作者: 不详|来自: ANSYS电磁场

摘要: 　　本文将向你展示SIWave如何仿真电源网络 VRM和芯片之间的直流压降。由于PCB板上有大量的平面分割，非理想的电流路径和过孔等，这些将会导致电源分布网络电压的衰减。

　　本文将向你展示SIWave如何仿真电源网络 VRM和芯片之间的直流压降。由于PCB板上有大量的平面分割，非理想的电流路径和过孔等，这些将会导致电源分布网络电压的衰减。

　　图1 导入PCB
　　导入PCB之后，检查完PCB 叠层、网表、电路参数无误后，进行如下操作：
　　1.点击TOOLS中如下功能栏

　　图2 添加端口选项

　　2.在以下界面中进行如下操作，选择需要分析的芯片，选择电流源的正端为VCC负端为DGND,点击OK,在电源和地之间创建电流源负载。这个例子将重点放在频率独立设置。一般来说，电流源的并联电阻高。我们将使用5E 007欧姆的默认值，相当于理想电流源。

　　图3 添加端口

　　3.添加电压源VRM,在直流电压的源端添加电压源，设置电压源参数如下:

　　图4 添加电压源
　　4.点击Simulation > SIwave > Compute DC Current/Voltage 对PCB进行直流压降分析。

　　5.点击Results > SIwave > DC IR DROP > DC IR SIM 1 > Currents/Voltages，生成图像如下：

　　图5 查看仿真结果

　　同时，在Results里面还能进行电流及功率分布操作通电压分布。

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